STH180N10F3-2 STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 9.59 EUR |
| 10+ | 6.37 EUR |
| 100+ | 4.57 EUR |
| 500+ | 4.49 EUR |
| 1000+ | 4.11 EUR |
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Technische Details STH180N10F3-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 315W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: StripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STH180N10F3-2 nach Preis ab 2.38 EUR bis 10.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STH180N10F3-2 | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 315W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: H2Pak-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH180N10F3-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 315W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: StripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
| STH180N10F3-2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 180A; Idm: 180A; 315W; D2PAK,TO263AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: N Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Pulsed drain current: 180A Power dissipation: 315W Case: D2PAK; TO263AB Gate-source voltage: 20V Mounting: SMD Gate charge: 114.6nC Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 17000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STH180N10F3-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 315W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6665 pF @ 25 V
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.26 EUR |
| 10+ | 6.83 EUR |
| 100+ | 4.89 EUR |
| STH180N10F3-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STH180N10F3-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3900 µohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 315W
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: StripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3900µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STH180N10F3-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 180A; Idm: 180A; 315W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 114.6nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 180A; Idm: 180A; 315W; D2PAK,TO263AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 315W
Case: D2PAK; TO263AB
Gate-source voltage: 20V
Mounting: SMD
Gate charge: 114.6nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 17000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 2.38 EUR |