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STH200N10WF7-2

STH200N10WF7-2 STMicroelectronics


sth200n10wf7-2.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
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Technische Details STH200N10WF7-2 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0032 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 340W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 Hersteller : STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
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STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 Hersteller : STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Description: N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4430 pF @ 25 V
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10+7.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 2
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STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 Hersteller : STMicroelectronics sth200n10wf7_2-2604559.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 4mOhm typ., 180 A STripFET F7 Power MOSFET
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STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0032 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0013412698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 0.0032 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340W
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
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STH200N10WF7-2 STH200N10WF7-2 Hersteller : STMicroelectronics sth200n10wf7-2.pdf Description: N-CHANNEL 100 V, 4.8 MOHM TYP.,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2Pak-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
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