Technische Details STH200N10WF7-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 340W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 340W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Weitere Produktangebote STH200N10WF7-2 nach Preis ab 2.94 EUR bis 18.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STH200N10WF7-2 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH200N10WF7-2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH200N10WF7-2 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH200N10WF7-2 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p |
auf Bestellung 155 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STH200N10WF7-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 340W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH200N10WF7-2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 340W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 340W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
auf Bestellung 321 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STH200N10WF7-2 | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2 Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 93nC On-state resistance: 3.2mΩ Gate-source voltage: 20V Drain-source voltage: 100V Drain current: 180A Power dissipation: 340W Kind of channel: enhancement Case: H2PAK-2 |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 4.25 EUR |
| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 4.26 EUR |
| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 5.76 EUR |
| 36+ | 4.45 EUR |
| 50+ | 4.24 EUR |
| 100+ | 3.53 EUR |
| 250+ | 3.36 EUR |
| 500+ | 3.18 EUR |
| 1000+ | 2.94 EUR |
| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
MOSFETs N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 11.27 EUR |
| 10+ | 6.89 EUR |
| 100+ | 5.4 EUR |
| 500+ | 4.69 EUR |
| 1000+ | 4.57 EUR |
| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.06 EUR |
| 20+ | 11.83 EUR |
| 100+ | 8.01 EUR |
| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH200N10WF7-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3200 µohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 340W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 340W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0032ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
auf Bestellung 321 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 18.06 EUR |
| 20+ | 11.83 EUR |
| 100+ | 8.01 EUR |
| STH200N10WF7-2 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 180A; 340W; H2PAK-2
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: 20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 340W
Kind of channel: enhancement
Case: H2PAK-2
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 4.97 EUR |