STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET Automotive-grade
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| 4+ | 16.07 EUR |
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Technische Details STH30N65DM6-7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 223W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: H2PAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote STH30N65DM6-7AG nach Preis ab 10.83 EUR bis 15.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt | ||||||||
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STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH30N65DM6-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 223W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: H2PAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.102ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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| STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 235 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A Automotive 8-Pin(7+Tab) H2PAK T/R |
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| STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 223W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Application: automotive industry Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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| STH30N65DM6-7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ DM6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 112A Power dissipation: 223W Case: H2PAK7 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.115Ω Mounting: SMD Gate charge: 46nC Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
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