STH3N150-2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: H2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 1000+ | 4.02 EUR |
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Technische Details STH3N150-2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PowerMESH, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STH3N150-2 nach Preis ab 4.29 EUR bis 9.56 EUR
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: H2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 939 pF @ 25 V |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 42256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH3N150-2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.5 kV, 2.5 A, 6 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: H2PAK-2 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PowerMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 42256 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
auf Bestellung 1088 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
auf Bestellung 10000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 7A Power dissipation: 86W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STH3N150-2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 200V; 7A; 86W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 7A Power dissipation: 86W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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