
STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 76 mOhm typ., 27 A MDmesh DM9 Power MOSFET
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Technische Details STH60N099DM9-2AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH60N099DM9-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.099 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 27A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STH60N099DM9-2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
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STH60N099DM9-2AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
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