STH65N050DM9-7AG STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 17.26 EUR |
| 10+ | 11.82 EUR |
| 50+ | 9.48 EUR |
| 100+ | 8.79 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
10-14 Tag (e)
Mindestmenge:
2 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STH65N050DM9-7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 266W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: H2PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.
Weitere Produktangebote STH65N050DM9-7AG nach Preis ab 10.09 EUR bis 24.67 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STH65N050DM9-7AG | STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 266W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: H2PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
|
|
STH65N050DM9-7AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| STH65N050DM9-7AG |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 266W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 266W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: H2PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.67 EUR |
| 13+ | 19.22 EUR |
| 17+ | 13.11 EUR |
| 50+ | 12.16 EUR |
| 100+ | 10.92 EUR |
| 250+ | 10.09 EUR |
| STH65N050DM9-7AG |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: STMICROELECTRONICS - STH65N050DM9-7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, H2PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.67 EUR |
| 13+ | 19.22 EUR |
| 17+ | 13.11 EUR |
| 50+ | 12.16 EUR |
| 100+ | 10.92 EUR |
| 250+ | 10.09 EUR |