STH8N120K5-2AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH8N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 2 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 165W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H2PAK-2
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 14+ | 17.92 EUR |
| 21+ | 11.16 EUR |
| 100+ | 8.27 EUR |
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Technische Details STH8N120K5-2AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STH8N120K5-2AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 6 A, 2 ohm, H2PAK-2, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q100, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 165W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: H2PAK-2, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm.