STHU36N60DM6AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STHU36N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.084 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 210W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm.