STHU47N60DM6AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 12.04 EUR |
| 10+ | 8.48 EUR |
| 100+ | 6.15 EUR |
| 600+ | 5.89 EUR |
| 1200+ | 5.82 EUR |
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Technische Details STHU47N60DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote STHU47N60DM6AG nach Preis ab 9.91 EUR bis 24.22 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STHU47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STHU47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 362 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STHU47N60DM6AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.22 EUR |
| 15+ | 15.83 EUR |
| 17+ | 13.15 EUR |
| 50+ | 11.7 EUR |
| 100+ | 10.71 EUR |
| 250+ | 9.91 EUR |
| STHU47N60DM6AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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Description: STMICROELECTRONICS - STHU47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 24.22 EUR |
| 15+ | 15.83 EUR |
| 17+ | 13.15 EUR |
| 50+ | 11.7 EUR |
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| 250+ | 9.91 EUR |