STHU60N046DM9AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 54A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Technische Details STHU60N046DM9AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU60N046DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 54 A, 0.046 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 54A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STHU60N046DM9AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| STHU60N046DM9AG | Hersteller : STMicroelectronics |
STHU60N046DM9AG |
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STHU60N046DM9AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
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STHU60N046DM9AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 600 V Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4698 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 |
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STHU60N046DM9AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 54 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
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