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STHU65N050DM9AG

STHU65N050DM9AG STMICROELECTRONICS

4517472.pdf
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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usEccn: EAR99
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Technische Details STHU65N050DM9AG STMICROELECTRONICS

Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: HU3PAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STHU65N050DM9AG STHU65N050DM9AG STMICROELECTRONICS 4517472.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 650V
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Dauer-Drainstrom Id: 51A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11+24.15 EUR
12+20.61 EUR
17+13.01 EUR
50+11.84 EUR
100+10.69 EUR
250+10.34 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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STHU65N050DM9AG 4517472.pdf
STHU65N050DM9AG
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 51A
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Bauform - Transistor: HU3PAK
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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auf Bestellung 299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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50+11.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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