STHU65N050DM9AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: HU3PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25.5A, 10V
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 14.29 EUR |
| 10+ | 9.8 EUR |
| 100+ | 7.91 EUR |
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Technische Details STHU65N050DM9AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 245W, Bauform - Transistor: HU3PAK, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STHU65N050DM9AG nach Preis ab 7.41 EUR bis 14.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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STHU65N050DM9AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 650 V, 38 mOhm typ., 51 A MDmesh DM9 Power MOSFET |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STHU65N050DM9AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 51A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: HU3PAK Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STHU65N050DM9AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STHU65N050DM9AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 51 A, 0.05 ohm, HU3PAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STHU65N050DM9AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: HU3PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4680 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25.5A, 10V Packaging: Tape & Reel (TR) |
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