STI24N60M6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFET N-channel 600 V, 162 mOhm typ 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in an I2PAK package
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| 10+ | 5.67 EUR |
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| 100+ | 4.58 EUR |
| 250+ | 4.32 EUR |
| 500+ | 4.06 EUR |
| 1000+ | 3.48 EUR |
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Technische Details STI24N60M6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote STI24N60M6
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STI24N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI24N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 0.19 ohm, TO-262, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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STI24N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V I2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: I2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 100 V |
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