STI47N60DM6AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.3 EUR |
| 10+ | 7.77 EUR |
| 100+ | 7.12 EUR |
| 500+ | 6.07 EUR |
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Technische Details STI47N60DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 250W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm.
Weitere Produktangebote STI47N60DM6AG nach Preis ab 7.22 EUR bis 14.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STI47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STI47N60DM6AG | STMicroelectronics |
Description: POWER TRANSISTORS |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STI47N60DM6AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 18+ | 14.57 EUR |
| 25+ | 9.53 EUR |
| STI47N60DM6AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: POWER TRANSISTORS
Description: POWER TRANSISTORS
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.68 EUR |
| 10+ | 9.92 EUR |
| 50+ | 7.88 EUR |
| 100+ | 7.22 EUR |