STI47N60DM6AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.64 EUR |
| 10+ | 9.21 EUR |
| 100+ | 6.72 EUR |
| 500+ | 6.07 EUR |
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Technische Details STI47N60DM6AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: I2PAK, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STI47N60DM6AG nach Preis ab 6.83 EUR bis 15.99 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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STI47N60DM6AG | STMicroelectronics |
Description: POWER TRANSISTORS Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 295 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STI47N60DM6AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: I2PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 61 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STI47N60DM6AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: POWER TRANSISTORS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: POWER TRANSISTORS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 295 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 2+ | 13.91 EUR |
| 10+ | 9.39 EUR |
| 100+ | 6.83 EUR |
| STI47N60DM6AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: I2PAK
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STI47N60DM6AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 36 A, 0.07 ohm, I2PAK, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Produktpalette: MDmesh DM6
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 61 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 16+ | 15.99 EUR |
| 21+ | 11.07 EUR |