STK130N4LF7AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
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Technische Details STK130N4LF7AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 105W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 105W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm.
Weitere Produktangebote STK130N4LF7AG nach Preis ab 2.07 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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STK130N4LF7AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0024 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 105W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STK130N4LF7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| STK130N4LF7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 378-392 Tag (e) |
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| STK130N4LF7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STK130N4LF7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STK130N4LF7AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-100, SOT-669 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V |
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