STK130N4LF7AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
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Technische Details STK130N4LF7AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 105W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 105W, SVHC: No SVHC (17-Dec-2015), Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm.
Weitere Produktangebote STK130N4LF7AG nach Preis ab 1.67 EUR bis 3.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STK130N4LF7AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 105W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 105W SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm |
auf Bestellung 261 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 261 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| STK130N4LF7AG | STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V, Part Status: Active Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 105W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-100, SOT-669 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
auf Bestellung 118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STK130N4LF7AG | STMicroelectronics |
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 374-378 Tag (e) |
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| STK130N4LF7AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 105W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STK130N4LF7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2400 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 105W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 105W
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STK130N4LF7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V,
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 105W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
auf Bestellung 118 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 6+ | 3.69 EUR |
| 10+ | 3.07 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
| STK130N4LF7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F7 Power MOSFET
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 7 mOhm typ., 54 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 374-378 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.81 EUR |
| 10+ | 3.44 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.26 EUR |
| 1000+ | 1.87 EUR |
| 3000+ | 1.67 EUR |