STK295N10F8AG STMICROELECTRONICS

Description: STMICROELECTRONICS - STK295N10F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 302 A, 0.0019 ohm, PowerLeaded, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: TBA, Dauer-Drainstrom Id: 302A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 382W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerLeaded, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm.