STK615N4F8AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 5.95 EUR |
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Technische Details STK615N4F8AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 672A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 390W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm.
Weitere Produktangebote STK615N4F8AG nach Preis ab 2.84 EUR bis 12.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STK615N4F8AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET |
auf Bestellung 419 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STK615N4F8AG | STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STK615N4F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 672A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm |
auf Bestellung 268 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STK615N4F8AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
MOSFETs Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 419 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.79 EUR |
| 10+ | 3.97 EUR |
| 100+ | 3.62 EUR |
| 500+ | 3.03 EUR |
| 2000+ | 2.84 EUR |
| STK615N4F8AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 9.47 EUR |
| 10+ | 6.28 EUR |
| 50+ | 4.9 EUR |
| 100+ | 4.46 EUR |
| STK615N4F8AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
auf Bestellung 268 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.32 EUR |
| 29+ | 8.06 EUR |
| 100+ | 5.95 EUR |