STK615N4F8AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 8.64 EUR |
| 10+ | 5.76 EUR |
| 100+ | 4.13 EUR |
| 500+ | 4.02 EUR |
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Technische Details STK615N4F8AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 672A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STK615N4F8AG
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STK615N4F8AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 672A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STK615N4F8AG | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 672A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STK615N4F8AG | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
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