STK615N4F8AG STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 672A
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
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Technische Details STK615N4F8AG STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 672A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 390W, Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: STripFET F8 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STK615N4F8AG nach Preis ab 4.78 EUR bis 16.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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STK615N4F8AG | STMicroelectronics |
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) FET Type: N-Channel |
auf Bestellung 890 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STK615N4F8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 672A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: STripFET F8 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STK615N4F8AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Description: AUTOMOTIVE N CHANNEL 40V .48MOHM
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerLeaded (8x8)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.48mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
auf Bestellung 890 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 10.28 EUR |
| 10+ | 6.85 EUR |
| 100+ | 4.91 EUR |
| 500+ | 4.78 EUR |
| STK615N4F8AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STK615N4F8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 672 A, 480 µohm, PowerLeaded 8x8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390W
Bauform - Transistor: PowerLeaded 8x8
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 16+ | 16.24 EUR |
| 18+ | 13.24 EUR |
| 100+ | 9.98 EUR |