STL100N10F7 STMicroelectronics
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| Anzahl | Preis |
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| 3000+ | 1.32 EUR |
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Technische Details STL100N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STL100N10F7 nach Preis ab 1.4 EUR bis 4.51 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLATPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V |
auf Bestellung 45000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
auf Bestellung 428 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG |
auf Bestellung 3403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5680 pF @ 50 V |
auf Bestellung 51068 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET VII DeepGATE Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin Power Flat T/R |
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