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STL11N3LLH6

STL11N3LLH6 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
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Technische Details STL11N3LLH6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics 563565464985953cd0028.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
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STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1020 Stücke:
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150+1.44 EUR
500+1.08 EUR
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STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
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auf Bestellung 3876 Stücke:
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100+1.13 EUR
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STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMicroelectronics STL11N3LLH6.pdf MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
auf Bestellung 311 Stücke:
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STL11N3LLH6 STL11N3LLH6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419 Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
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Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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STL11N3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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AnzahlPrivatkunde
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150+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL11N3LLH6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
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Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
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MOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
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10+1.71 EUR
100+1.14 EUR
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1000+0.81 EUR
3000+0.7 EUR
6000+0.68 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL11N3LLH6 SGST-S-A0002909343-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419
STL11N3LLH6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1020 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
66+3.82 EUR
100+2.34 EUR
150+1.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 66 Stücke
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