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STL130N6F7

STL130N6F7 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
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Technische Details STL130N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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200+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
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STL130N6F7 STL130N6F7 STMicroelectronics STL130N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+1.5 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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107+1.63 EUR
109+1.58 EUR
110+1.52 EUR
112+1.46 EUR
250+1.42 EUR
500+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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107+1.63 EUR
109+1.55 EUR
110+1.46 EUR
112+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.17 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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STL130N6F7 STL130N6F7 STMicroelectronics en.dm00162802.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL130N6F7 STL130N6F7 STMICROELECTRONICS 2815981.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.23 EUR
500+2.05 EUR
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STL130N6F7 STL130N6F7 STMICROELECTRONICS 2815981.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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STL130N6F7 STL130N6F7 STMicroelectronics STL130N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 7385 Stücke:
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10+3.27 EUR
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STL130N6F7 STL130N6F7 STMicroelectronics STL130N6F7.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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1+5.38 EUR
10+3.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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118+1.48 EUR
120+1.43 EUR
122+1.38 EUR
200+1.27 EUR
1000+1.24 EUR
2000+1.19 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
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auf Bestellung 2888 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
107+1.63 EUR
109+1.58 EUR
110+1.52 EUR
112+1.46 EUR
250+1.42 EUR
500+1.38 EUR
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Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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auf Bestellung 2888 Stücke:
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107+1.63 EUR
109+1.55 EUR
110+1.46 EUR
112+1.39 EUR
250+1.31 EUR
500+1.24 EUR
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Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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298+2.2 EUR
500+2.06 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 298 Stücke
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STL130N6F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1383 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.23 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STL130N6F7
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1383 Stücke:
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67+3.75 EUR
83+2.81 EUR
100+2.23 EUR
500+2.05 EUR
1000+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ., 130 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 p
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10+3.5 EUR
100+2.4 EUR
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