STL130N6F7

STL130N6F7 STMicroelectronics


STL130N6F7.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 9000 Stücke:

Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STL130N6F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.003 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2019).

Weitere Produktangebote STL130N6F7 nach Preis ab 2.5 EUR bis 5.85 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
STL130N6F7 STL130N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STL130N6F7.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
auf Bestellung 11427 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
5+5.28 EUR
10+ 4.38 EUR
100+ 3.49 EUR
500+ 2.95 EUR
1000+ 2.5 EUR
Mindestbestellmenge: 5
STL130N6F7 STL130N6F7 Hersteller : STMicroelectronics stl130n6f7-1850932.pdf MOSFET N-channel 60 V, 3 mOhm typ 130 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
9+5.85 EUR
10+ 5.25 EUR
25+ 4.97 EUR
100+ 4.24 EUR
500+ 3.46 EUR
1000+ 2.89 EUR
Mindestbestellmenge: 9
STL130N6F7 STL130N6F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS STL130N6F7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.003 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 5172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
STL130N6F7 STL130N6F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS STL130N6F7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.003 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
auf Bestellung 5172 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)