STL130N6F7 STMicroelectronics
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Technische Details STL130N6F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 125W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL130N6F7 nach Preis ab 0.83 EUR bis 2.94 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 2888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7510 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 60 V, 3 mOhm typ 130 A STripFET F7 Power MOSFET |
auf Bestellung 6046 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1383 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL130N6F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL130N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 3000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 125W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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Trans MOSFET N-CH 60V 130A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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