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STL190N4F7AG

STL190N4F7AG STMicroelectronics


12320563895763129.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
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Technische Details STL190N4F7AG STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 127W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

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74+2.03 EUR
84+1.70 EUR
85+1.63 EUR
100+1.40 EUR
250+1.34 EUR
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STL190N4F7AG STL190N4F7AG Hersteller : STMicroelectronics stl190n4f7ag-1851065.pdf MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 1.68 mOhm typ 120 A STripFET F7 Power MOSFET
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STL190N4F7AG STL190N4F7AG Hersteller : STMicroelectronics en.DM00257174.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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10+3.38 EUR
100+2.34 EUR
500+1.90 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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Vgs (Max): ±20V
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