STL19N60M2 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.67 EUR |
| 105+ | 2.05 EUR |
| 118+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |
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Technische Details STL19N60M2 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote STL19N60M2 nach Preis ab 1.58 EUR bis 3.27 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STL19N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 2379 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL19N60M2 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.278 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.278ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 2379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 77+ | 3.27 EUR |
| 87+ | 2.67 EUR |
| 105+ | 2.05 EUR |
| 118+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.68 EUR |
| 1000+ | 1.58 EUR |