STL19N60M6 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 90W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2020)
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Technische Details STL19N60M6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 90W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.255ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2020).
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Preis ohne MwSt |
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STL19N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 90W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 90W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.255ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2020) |
auf Bestellung 282 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL19N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 5-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL19N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 5-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL19N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL19N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V |
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| STL19N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 600 V, 255 mOhm typ 11 A MDmesh M6 Power MOSFET |
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