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STL19N60M6

STL19N60M6 STMicroelectronics

en.DM00671637.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 308mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 100 V
auf Bestellung 2997 Stücke:
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Technische Details STL19N60M6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, Verlustleistung Pd: 90W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 90W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.255ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL19N60M6 STL19N60M6 STMICROELECTRONICS 3107366.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
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Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL19N60M6 STL19N60M6 STMICROELECTRONICS 3107366.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Verlustleistung Pd: 90W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 90W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.255ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.255ohm
auf Bestellung 267 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
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Kanaltyp: n-Kanal
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auf Bestellung 267 Stücke:
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL19N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.255 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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