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STL20N6F7

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Produktcode: 166310
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 1418176539440803dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMicroelectronics 1418176539440803dm001.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00157934.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.72 EUR
6000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMicroelectronics STL20N6F7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 60V; 12A; 78W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Kind of package: reel; tape
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.4mΩ
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 78W
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 2047 Stücke:
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Anzahl Preis
43+1.69 EUR
58+1.25 EUR
82+0.87 EUR
100+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 43
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00157934.pdf MOSFETs N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.
auf Bestellung 3702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.48 EUR
10+1.57 EUR
100+1.04 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
3000+0.63 EUR
6000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00157934.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
auf Bestellung 7154 Stücke:
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7+2.69 EUR
11+1.71 EUR
100+1.14 EUR
500+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2819078.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 3085 Stücke:
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STL20N6F7 STL20N6F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS 2819078.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL20N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4600 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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