STL225N6F7AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details STL225N6F7AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL225N6F7AG nach Preis ab 2.26 EUR bis 7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STL225N6F7AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL225N6F7AG | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101 |
auf Bestellung 2917 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL225N6F7AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power |
auf Bestellung 3139 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL225N6F7AG | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 3767 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL225N6F7AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STL225N6F7AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 8258 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL225N6F7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 2.46 EUR |
| STL225N6F7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
auf Bestellung 2917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 6.44 EUR |
| STL225N6F7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
MOSFETs Automotive 60V N-Ch 12mOhm 120A F7 Power
auf Bestellung 3139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.62 EUR |
| 10+ | 4.33 EUR |
| 100+ | 3.03 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| 1000+ | 2.56 EUR |
| 3000+ | 2.26 EUR |
| STL225N6F7AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6500 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 3767 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7 EUR |
| 10+ | 4.58 EUR |
| 100+ | 3.2 EUR |
| 500+ | 2.63 EUR |
| STL225N6F7AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 188W
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8258 Stücke:
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| STL225N6F7AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL225N6F7AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 120 A, 1200 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 8258 Stücke:
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