STL260N4LF7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 4+ | 4.72 EUR |
| 10+ | 3.06 EUR |
| 100+ | 2.12 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
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Technische Details STL260N4LF7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 850 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL260N4LF7 nach Preis ab 1.55 EUR bis 4.79 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STL260N4LF7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x |
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STL260N4LF7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 850 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
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STL260N4LF7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 850 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 188W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL260N4LF7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL260N4LF7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL260N4LF7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL260N4LF7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP. Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 188W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
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| STL260N4LF7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Pulsed drain current: 480A Power dissipation: 188W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 42nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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