Produkte > STMICROELECTRONICS > STL260N4LF7
STL260N4LF7

STL260N4LF7 STMicroelectronics

stl260n4lf7.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
auf Bestellung 2666 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+6.02 EUR
10+3.93 EUR
100+2.74 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details STL260N4LF7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00085 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 188W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote STL260N4LF7

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Hersteller : STMICROELECTRONICS stl260n4lf7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00085 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Hersteller : STMICROELECTRONICS stl260n4lf7.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL260N4LF7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.00085 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 188W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00215630.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00215630.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Hersteller : STMicroelectronics en.dm00215630.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 120A 8-Pin Power Flat EP T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Hersteller : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf Description: N-CHANNEL 40 V, 0.00085 OHM TYP.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 STL260N4LF7 Hersteller : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf MOSFETs N-channel 40 V, 0.85 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STL260N4LF7 Hersteller : STMicroelectronics stl260n4lf7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 480A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 188W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH