Technische Details STL2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STL2N80K5 nach Preis ab 0.64 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STL2N80K5 | STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL2N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL2N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL2N80K5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
auf Bestellung 3444 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL2N80K5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected |
auf Bestellung 5323 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL2N80K5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5356 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
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STL2N80K5 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 11 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.7 EUR |
| 6000+ | 0.64 EUR |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.79 EUR |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 5000+ | 1.27 EUR |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
auf Bestellung 3444 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.92 EUR |
| 12+ | 1.84 EUR |
| 100+ | 1.24 EUR |
| 500+ | 0.98 EUR |
| 1000+ | 0.89 EUR |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
auf Bestellung 5323 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 1.58 EUR |
| 100+ | 1.14 EUR |
| 500+ | 0.95 EUR |
| 1000+ | 0.88 EUR |
| 3000+ | 0.84 EUR |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 5356 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 3.45 EUR |
| 96+ | 2.44 EUR |
| 131+ | 1.64 EUR |
| 500+ | 1.4 EUR |
| 1000+ | 1.33 EUR |
| 5000+ | 1.27 EUR |
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STL2N80K5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
auf Bestellung 42 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)