STL2N80K5

STL2N80K5 STMicroelectronics


en.DM00092662.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
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Technische Details STL2N80K5 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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STL2N80K5 STL2N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00092662.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V
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STL2N80K5 STL2N80K5 Hersteller : STMicroelectronics stl2n80k5-1851248.pdf MOSFET N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
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STL2N80K5 STL2N80K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00092662.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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STL2N80K5 STL2N80K5 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00092662.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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STL2N80K5 STL2N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 2269085710289224dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL2N80K5 Hersteller : STMicroelectronics 2269085710289224dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL2N80K5 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00092662.pdf STL2N80K5 SMD N channel transistors
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