STL2N80K5 STMicroelectronics
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Technische Details STL2N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STL2N80K5 nach Preis ab 0.92 EUR bis 2.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
auf Bestellung 42 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL2N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3.7 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 33W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 1.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STL2N80K5 SMD N channel transistors |
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STL2N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95 pF @ 100 V |
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