STL325N4LF8AG STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 40 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 373A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7657 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 6+ | 3.86 EUR |
| 10+ | 3.12 EUR |
| 100+ | 2.55 EUR |
| 500+ | 2.46 EUR |
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Technische Details STL325N4LF8AG STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 373A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 188W, Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL325N4LF8AG nach Preis ab 1.95 EUR bis 6.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STL325N4LF8AG | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET |
auf Bestellung 3175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL325N4LF8AG | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 373A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7040 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL325N4LF8AG |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
MOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V Logic Level, 0.55 mOhm STripFET F8 Power MOSFET
auf Bestellung 3175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 6.34 EUR |
| 10+ | 4.14 EUR |
| 100+ | 2.89 EUR |
| 500+ | 2.34 EUR |
| 1000+ | 2.31 EUR |
| 3000+ | 2.09 EUR |
| 6000+ | 1.95 EUR |
| STL325N4LF8AG |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 373A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL325N4LF8AG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 373 A, 550 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 550µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7040 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)