STL33N60DM2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V
auf Bestellung 1622 Stücke:
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 7.62 EUR |
| 10+ | 5.49 EUR |
| 100+ | 4.19 EUR |
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Technische Details STL33N60DM2 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.115 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL33N60DM2 nach Preis ab 3.64 EUR bis 7.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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STL33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 0.115 Ohm typ 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
auf Bestellung 2200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL33N60DM2 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL33N60DM2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.115 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 367 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 150W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 5-Pin Power Flat EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A PWRFLAT HV Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL33N60DM2 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 21A Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 150W Case: PowerFLAT 8x8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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