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STL36DN6F7

STL36DN6F7 STMicroelectronics

en.DM00224009.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 58W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
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Technische Details STL36DN6F7 STMicroelectronics

Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 58W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STL36DN6F7 STL36DN6F7 STMicroelectronics en.dm00224009.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin Power Flat EP T/R
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106+1.62 EUR
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STL36DN6F7 STL36DN6F7 STMicroelectronics en.dm00224009.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 33A 8-Pin Power Flat EP T/R
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STL36DN6F7 STL36DN6F7 STMicroelectronics en.DM00224009.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 58W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
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STL36DN6F7 STL36DN6F7 STMicroelectronics en.DM00224009.pdf MOSFETs Dual N-channel 60 V, 23 mOhm typ., 33 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 58W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 4.5A, 10V
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