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STL3NM60N

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Produktcode: 130677
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Transistoren > MOSFET N-CH

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STL3NM60N STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics stl3nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
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STL3NM60N STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
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STL3NM60N STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf MOSFETs N-Ch 600V 1.5Ohm 2.2A MDMesh II MOS
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STL3NM60N STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
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STL3NM60N STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics stl3nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
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STL3NM60N STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics stl3nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.65A 8-Pin Power Flat T/R
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STL3NM60N Hersteller : STMicroelectronics en.DM00048286.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2.2A; Idm: 2.6A; 22W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2.2A
Power dissipation: 22W
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 9.5nC
Pulsed drain current: 2.6A
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