STL45N65M5 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 160W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
auf Bestellung 2455 Stücke:
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Technische Details STL45N65M5 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 160W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 160W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: No SVHC (16-Jan-2020).
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STL45N65M5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL45N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.075 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 160W productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
auf Bestellung 2455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3.8A 5-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH Si 650V 3.8A 5-Pin Power Flat T/R |
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| STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.5A; Idm: 90A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: PowerFLAT 8x8 On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 160W Gate charge: 82nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 22.5A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V |
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STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFLAT™ (8x8) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3470 pF @ 100 V |
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STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650 V 0.075 Ohm 22.5 A Mdmesh |
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| STL45N65M5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22.5A; Idm: 90A; 160W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Case: PowerFLAT 8x8 On-state resistance: 86mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Power dissipation: 160W Gate charge: 82nC Gate-source voltage: ±25V Pulsed drain current: 90A Drain current: 22.5A |
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