STL4N10F7 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 100 V, 0.062 Ohm typ 4.5 A STripFET F7 Power MOSFET
auf Bestellung 3467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.11 EUR |
| 10+ | 1.32 EUR |
| 100+ | 0.87 EUR |
| 500+ | 0.70 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 3000+ | 0.54 EUR |
| 6000+ | 0.49 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STL4N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35.7W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F7 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STL4N10F7
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
STL4N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
 |
STL4N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
|
|
STL4N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.062 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 35.7W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F7 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
| STL4N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
||
|
|
STL4N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
| STL4N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 35.7W Mounting: SMD Gate charge: 7.8nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 18A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35.7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
Produkt ist nicht verfügbar |