STL4N80K5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details STL4N80K5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.5 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh K5, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL4N80K5 nach Preis ab 1.30 EUR bis 3.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V |
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STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte |
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STL4N80K5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.5 A, 2.5 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh K5 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 38W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.5A 8-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL4N80K5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 10A; 38W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.5A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 38W Case: PowerFLAT 5x6 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 2.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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