STL4P3LLH6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.32 EUR |
| 6000+ | 0.3 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details STL4P3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL4P3LLH6 nach Preis ab 0.29 EUR bis 1.02 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
STL4P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ 4 A STripFET H6 Power MOSFET in PowerFLAT 2x2 pack |
auf Bestellung 7258 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
STL4P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 639 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7176 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
STL4P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
STL4P3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL4P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.048 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 DeepGATE productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 98 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
 |
STL4P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 30V 4A 6-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
| STL4P3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 2.4W Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -16A Drain current: -4A Drain-source voltage: -30V Gate charge: 6nC On-state resistance: 56mΩ Power dissipation: 2.4W Gate-source voltage: ±20V Case: PowerFLAT 2x2 |
Produkt ist nicht verfügbar |