STL57N65M5 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
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Technische Details STL57N65M5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 189W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: MDmesh M5 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL57N65M5 nach Preis ab 10.77 EUR bis 25.64 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STL57N65M5 | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5 |
auf Bestellung 2439 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL57N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V |
auf Bestellung 6222 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL57N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL57N65M5 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 189W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: MDmesh M5 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 5339 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL57N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
MOSFETs N-Ch 650V 0.061 Ohm 40 A Mdmesh M5
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.32 EUR |
| 10+ | 14.96 EUR |
| 100+ | 12.9 EUR |
| 500+ | 12.67 EUR |
| 1000+ | 10.77 EUR |
| STL57N65M5 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
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Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 23.61 EUR |
| 10+ | 16.41 EUR |
| 100+ | 13.15 EUR |
| STL57N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22.5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 189W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
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Bauform - Transistor: PowerFLAT
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Produktpalette: MDmesh M5 Series
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10+ | 25.64 EUR |
| 12+ | 20.3 EUR |
| 14+ | 15.48 EUR |
| 50+ | 14.24 EUR |
| 100+ | 13.49 EUR |
| 250+ | 12.72 EUR |
| STL57N65M5 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.061ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL57N65M5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 22.5 A, 0.061 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5339 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 10+ | 25.64 EUR |
| 12+ | 20.3 EUR |
| 14+ | 15.48 EUR |
| 50+ | 14.24 EUR |
| 100+ | 13.49 EUR |
| 250+ | 12.72 EUR |