STL6N2VH5 STMicroelectronics
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Technische Details STL6N2VH5 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.4W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: STripFET V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote STL6N2VH5 nach Preis ab 1.02 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 20V POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: STripFET V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N2VH5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 2.4W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: STripFET V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 1830 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 20V 6A 6-Pin Power Flat T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
STL6N2VH5 SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STL6N2VH5 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 20V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 16 V |
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