STL6N3LLH6 STMicroelectronics
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Technische Details STL6N3LLH6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.8W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: STripFET H6, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL6N3LLH6 nach Preis ab 0.44 EUR bis 1.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL6N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.021 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.8W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: STripFET H6 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1398 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 6-Pin Power Flat EP T/R |
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| STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 52A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 7.8W Case: PowerFLAT 2x2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min) Supplier Device Package: PowerFlat™ (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 24 V |
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| STL6N3LLH6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 52A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A Pulsed drain current: 52A Power dissipation: 7.8W Case: PowerFLAT 2x2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 25mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.6nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
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