STL7N10F7

STL7N10F7 STMicroelectronics


en.DM00108801.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
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Technische Details STL7N10F7 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET VII DeepGATE, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STL7N10F7 STL7N10F7 Hersteller : STMicroelectronics stl7n10f7-1850960.pdf MOSFETs N-channel 100 V, 0.027 Ohm typ 7 A STripFET F7 Power MOSFET
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STL7N10F7 STL7N10F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00108801.pdf Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
auf Bestellung 6551 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+1.65 EUR
14+1.35 EUR
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Mindestbestellmenge: 11
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STL7N10F7 STL7N10F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00108801.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STL7N10F7 STL7N10F7 Hersteller : STMICROELECTRONICS en.DM00108801.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STL7N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.027 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1018 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STL7N10F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00108801.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 28A; 50W
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 28A
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STL7N10F7 Hersteller : STMicroelectronics en.DM00108801.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 7A; Idm: 28A; 50W
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 28A
Case: PowerFLAT 3.3x3.3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
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