STL7N6LF3 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details STL7N6LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N6LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote STL7N6LF3 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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STL7N6LF3 | STMicroelectronics |
MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in |
auf Bestellung 1480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL7N6LF3 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
auf Bestellung 4033 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL7N6LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N6LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2973 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STL7N6LF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
MOSFETs Automotive-grade N-channel 60 V, 35 mOhm typ., 6.5 A STripFET F3 Power MOSFET in
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.27 EUR |
| 10+ | 2.05 EUR |
| 100+ | 1.39 EUR |
| 500+ | 1.09 EUR |
| 1000+ | 1.01 EUR |
| 3000+ | 0.92 EUR |
| STL7N6LF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 60V 20A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 432 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
auf Bestellung 4033 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.45 EUR |
| 10+ | 2.19 EUR |
| 100+ | 1.48 EUR |
| 500+ | 1.17 EUR |
| 1000+ | 1.07 EUR |
| STL7N6LF3 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N6LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STL7N6LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.035 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2973 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)