STL8DN10LF3 STMicroelectronics
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.11 EUR |
| 10+ | 3.31 EUR |
| 100+ | 2.26 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 3000+ | 1.65 EUR |
| 6000+ | 1.45 EUR |
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Technische Details STL8DN10LF3 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 70W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: STripFET F3, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm.
Weitere Produktangebote STL8DN10LF3 nach Preis ab 1.74 EUR bis 6.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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STL8DN10LF3 | STMicroelectronics |
 Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLATSupplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 70W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
auf Bestellung 2891 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STL8DN10LF3 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 70W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: STripFET F3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL8DN10LF3 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 70W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Description: MOSFET 2N-CH 100V 20A POWERFLAT
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 970pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 70W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
auf Bestellung 2891 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.21 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.31 EUR |
| 500+ | 1.86 EUR |
| 1000+ | 1.74 EUR |
| STL8DN10LF3 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STL8DN10LF3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.025 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
auf Bestellung 2900 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 41+ | 6.09 EUR |
| 64+ | 3.67 EUR |
| 100+ | 2.49 EUR |
| 500+ | 2.07 EUR |
| 1000+ | 1.92 EUR |