STL8N10F7 STMicroelectronics
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Technische Details STL8N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerFLAT, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote STL8N10F7 nach Preis ab 0.89 EUR bis 2.50 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STL8N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLATPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
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STL8N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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STL8N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STL8N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8 A, 0.017 ohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: PowerFLAT Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 5504 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STL8N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 50W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 140A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STL8N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V POWERFLAT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 50 V |
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| STL8N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 140A; 50W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 140A Case: PowerFLAT 3.3x3.3 Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 50W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
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