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STN1HNK60

STN1HNK60

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Produktcode: 117537
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Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 0,4 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 8,5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 156/7
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.46 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.73 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 ST info-tstd1nk60t4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 7378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.39 EUR
250+1.49 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
auf Bestellung 290 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.36 EUR
10+1.59 EUR
100+1.43 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.08 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.89 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 8141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.62 EUR
10+2.3 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 7378 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
62+4.07 EUR
98+2.39 EUR
250+1.49 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 62 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2927 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.73 EUR
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STN1HNK60
Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
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STN1HNK60
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
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4000+0.89 EUR
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 8141 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+3.62 EUR
10+2.3 EUR
50+1.73 EUR
100+1.55 EUR
500+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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STN1HNK60 SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1HNK60
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
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98+2.39 EUR
250+1.49 EUR
1000+1.07 EUR
2000+1 EUR
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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HT7550-1 (SOT-23-3)
Produktcode: 198227
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2306061713_MSKSEMI-HT7550-1_C5379082.pdf
HT7550-1 (SOT-23-3)
Hersteller: MSKSEMI
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-23-3
Eingangsspannung Uin, V: 30 В
Ausgangsspannung Uout, V: 5 В
Ausgangsstrom Iout, A: 0,1 А
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -40...85°C
auf Bestellung: 264 St.
  • 264 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.15 EUR
10+0.13 EUR
100+0.11 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
442 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-442K-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 27776
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
442 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-442K-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 442 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 1200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 14100 St.
  • 14100 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+0.012 EUR
200+0.006 EUR
Mindestbestellmenge: 110 St.
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Tastenkappe für Taster, D = 12 (innen d = 4,9мм), schwarz
Produktcode: 110717
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kls-tsc12-datasheet.pdf
Tastenkappe für Taster, D = 12 (innen d = 4,9мм), schwarz
Hersteller: KLS
Tasten/Knöpfe und Tastatur > Kappen für Knöpfe
Tastenkappen für Taster
Beschreibung: Tastenkappe D = 12, Farbe: schwarz
Abmessungen: D=12
verfügbar: 200 St.
  • 200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1 St.
  • 1 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
21+0.058 EUR
34+0.036 EUR
100+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 21 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2uF 200V ECR 6,3x11mm (ECR2R2M2DB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3115
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ECR_081225.pdf
2,2uF 200V ECR 6,3x11mm (ECR2R2M2DB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2 µF
Nennspannung: 200 V
Reihe: ECR
Typ: Allzweck, für automatische Bestückung geeignet, Miniatur, 85°C
Temperaturbereich: -25...+85°C
Abmessungen: 6x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
verfügbar: 200 St.
  • 200 St. - stock Köln
auf Bestellung: 9674 St.
  • 9674 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
22+0.055 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
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