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STN1HNK60

Name: STN1HNK60
Brand: STMicroelectronics
SKU: 129871-5
Price: 0.58 EUR
Availability: InStock

Produktcode: 117537

Hersteller: ST
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
JHGF: SMD

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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V

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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
On-state resistance: 8.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.3W
Polarisation: unipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V

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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

MOSFET 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH

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STN1HNK60

Hersteller : STMICROELECTRONICS

SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

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STN1HNK60

Hersteller : STMICROELECTRONICS

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STN1HNK60

Hersteller : ST

Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
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STN1HNK60

Hersteller : STMicroelectronics

Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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STN1HNK60

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Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

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TL071CP
Produktcode: 24068

tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530

Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18V
BW, MHz: 3 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; Streifen, MHz: 3; dU/dt, V/mks: 13; Ucm, mV. 10; Nш, nV/VHz: 18; Verfügbarkeit R-to-R: -;
ZCODE: 1

verfügbar: 217 Stück

10 Stück - stock Köln
207 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

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1+	0.25 EUR

NE555P IC Timer
Produktcode: 26138

Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C

verfügbar: 1673 Stück

434 Stück - stock Köln
1239 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen

erwartet: 2000 Stück

2000 Stück - erwartet 05.10.2024

Anzahl	Preis ohne MwSt
1+	0.5 EUR
10+	0.24 EUR
100+	0.15 EUR
1000+	0.12 EUR

BC847.215 Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0,1A; 250mW; SOT23 Nexperia
Produktcode: 99908

Hersteller: Nexpreria
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,1 A
ZCODE: SMD

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10mH 10% (DR 0912 10mH Bochen) (Idc=0,12А, Rdc max=13 Ohm, радиальные выводы, d=9mm, h=12mm)
Produktcode: 123715

Hersteller: Bochen
Drosseln > Induktivitäten (Drosseln) Leistungsabgabe
Nennwert: 10 mH
Beschreibung und Eigenschaften: Силова, дротова на феритовій гантелі, 10mH±10%, Idc=0.12А, Rdc мax=13 Ohm, радіальні виводи, d=9мм, h=12мм
Typ: DR0912
Abmessungen: d=9 mm; h=12 mm
Робочий струм, А: 0,12 A

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P6KE400CA
Produktcode: 169544

media?resourcetype=datasheets&itemid=620a3cb5-3282-4670-8b03-66f21bc75523&filename=littelfuse_tvs_diode_p6ke_datasheet.pdf

Hersteller: GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600 W
U Durchbruch: 400 V
n: 342 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT

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