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STN1HNK60

STN1HNK60

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Hersteller: ST
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
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Technische Details STN1HNK60 ST

Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 500mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: Lead (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.46 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.71 EUR
8000+0.68 EUR
12000+0.64 EUR
20000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 3907 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
40+2.14 EUR
55+1.56 EUR
64+1.34 EUR
79+1.09 EUR
100+0.94 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 6316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
70+3.59 EUR
109+2.14 EUR
250+1.31 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
109+2.14 EUR
250+1.31 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STN1HNK60 STN1HNK60 STMicroelectronics stn1hnk60.pdf MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
auf Bestellung 27840 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.96 EUR
4000+0.92 EUR
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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STN1HNK60
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Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.71 EUR
8000+0.68 EUR
12000+0.64 EUR
20000+0.58 EUR
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STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
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Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN1HNK60 STD1NK60-1.pdf
STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 3907 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
40+2.14 EUR
55+1.56 EUR
64+1.34 EUR
79+1.09 EUR
100+0.94 EUR
500+0.7 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 40 Stücke
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STN1HNK60 stn1hnk60.pdf
STN1HNK60
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 6316 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.42 EUR
10+2.17 EUR
100+1.45 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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STN1HNK60 SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1HNK60
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+3.59 EUR
109+2.14 EUR
250+1.31 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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STN1HNK60 SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1HNK60
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
auf Bestellung 10808 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.59 EUR
109+2.14 EUR
250+1.31 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
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1+3.61 EUR
10+2.26 EUR
100+1.49 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.96 EUR
4000+0.92 EUR
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