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STN1HNK60

STN1HNK60

stn1hnk60.pdf
Produktcode: 117537
Hersteller: ST
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
JHGF: SMD
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.69 EUR
8000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8EF675808C745&compId=STD1NK60-1.pdf?ci_sign=1f7e14d15a280f182d6e747e71f26d9feac289f8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 8683 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
64+1.13 EUR
77+0.94 EUR
293+0.24 EUR
311+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 42
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE787E8EF675808C745&compId=STD1NK60-1.pdf?ci_sign=1f7e14d15a280f182d6e747e71f26d9feac289f8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 8683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
42+1.72 EUR
64+1.13 EUR
77+0.94 EUR
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Mindestbestellmenge: 42
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 18911 Stücke:
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9+2.04 EUR
13+1.44 EUR
100+1.12 EUR
500+0.89 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.79 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60-1851347.pdf MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
auf Bestellung 28195 Stücke:
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10+1.46 EUR
100+1.13 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.80 EUR
2000+0.75 EUR
4000+0.70 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 14355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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STN1HNK60 Hersteller : ST stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
50+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1HNK60 Hersteller : Microchip Technology stn1hnk60.pdf Array
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TL071CP
Produktcode: 24068
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tl071.pdf?HQS=dis-dk-null-digikeymode-dsf-pf-null-wwe&ts=1721694323530
TL071CP
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18V
BW, MHz: 3 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; Streifen, MHz: 3; dU/dt, V/mks: 13; Ucm, mV. 10; Nш, nV/VHz: 18; Verfügbarkeit R-to-R: -;
ZCODE: 1
verfügbar: 40 Stück
10 Stück - stock Köln
30 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.25 EUR
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138
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description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2090 Stück
429 Stück - stock Köln
1661 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.50 EUR
10+0.24 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STP10NK60ZFP
Produktcode: 4775
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description STP10NK60Z.pdf
STP10NK60ZFP
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 438 Stück
3 Stück - stock Köln
435 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.76 EUR
10+0.72 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
ES1J
Produktcode: 3349
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ES1 series.pdf
ES1J
Hersteller: YJ/TSC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 2616 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 Stück:
30 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.07 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
P6KE200CA
Produktcode: 3238
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P6KE6.8-200 series.pdf
P6KE200CA
Hersteller: Littelfuse
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 200
n: 171 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 7 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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