STN1HNK60
Produktcode: 117537
Hersteller: STGehäuse: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
JHGF: SMD
auf Bestellung 3907 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 480000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 480000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.4A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 8.5Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD |
auf Bestellung 4890 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH |
auf Bestellung 17959 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 11718 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STN1HNK60 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STN1HNK60 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| TL071CP Produktcode: 24068
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18V
BW, MHz: 3 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; Streifen, MHz: 3; dU/dt, V/mks: 13; Ucm, mV. 10; Nш, nV/VHz: 18; Verfügbarkeit R-to-R: -;
ZCODE: 1
Монтаж: THT
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8
Vc, V: ±3,5…18V
BW, MHz: 3 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 10 mV
Geschw. Nar., V/mks: 13 V/µs
Temperaturbereich: 0…+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 1; Streifen, MHz: 3; dU/dt, V/mks: 13; Ucm, mV. 10; Nш, nV/VHz: 18; Verfügbarkeit R-to-R: -;
ZCODE: 1
Монтаж: THT
verfügbar: 199 Stück
10 Stück - stock Köln
189 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
189 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.25 EUR |
| NE555P IC Timer Produktcode: 26138
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: TI
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
IC > IC Timer
Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2226 Stück
268 Stück - stock Köln
1958 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
1958 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.5 EUR |
| 10+ | 0.24 EUR |
| 100+ | 0.15 EUR |
| 1000+ | 0.12 EUR |
| STP10NK60ZFP Produktcode: 4775
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220FP
Uds,V: 600
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 0.75
Bem.: Ізольований корпус
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
verfügbar: 243 Stück
3 Stück - stock Köln
240 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
240 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet:
620 Stück
600 Stück - erwartet 27.11.2025
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.76 EUR |
| 10+ | 0.72 EUR |
| ES1J Produktcode: 3349
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: YJ/TSC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 600
Iav, A: 1
Trr, ns: 20
ZCODE: 8541 10 00 90
auf Bestellung 2148 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.08 EUR |
| 10+ | 0.07 EUR |
| 100+ | 0.062 EUR |
| 1000+ | 0.054 EUR |
| P6KE200CA Produktcode: 3238
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Lieblingsprodukt
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![]() |
Hersteller: Littelfuse
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 200
n: 171 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-15
P, Wt: 600
U Durchbruch: 200
n: 171 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 10 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.17 EUR |
| 10+ | 0.16 EUR |










