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STN1HNK60

STN1HNK60

stn1hnk60.pdf
Produktcode: 117537
Hersteller: ST
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 600 V
Idd,A: 0,4 A
Rds(on), Ohm: 8,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 156/7
JHGF: SMD
auf Bestellung 3893 St.:
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 232000 Stücke:
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Anzahl Preis
4000+0.56 EUR
8000+0.51 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 232000 Stücke:
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4000+0.57 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
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4000+0.64 EUR
8000+0.6 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1969 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
53+1.37 EUR
68+1.06 EUR
89+0.81 EUR
100+0.73 EUR
500+0.57 EUR
1000+0.52 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 53
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics STD1NK60-1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.4A; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.4A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 8.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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53+1.37 EUR
68+1.06 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 156 pF @ 25 V
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8+2.46 EUR
12+1.57 EUR
100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 8
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf MOSFETs 600V 8Ohm 1A N-Chnnl Zener SuperMESH
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2+2.48 EUR
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100+1.05 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
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4000+0.69 EUR
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0006185086-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1HNK60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 8.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8.5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 10232 Stücke:
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STN1HNK60 Hersteller : ST stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A STN1HNK60 TSTN1HNK60
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 250 Stücke:
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Anzahl Preis
50+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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STN1HNK60 STN1HNK60 Hersteller : STMicroelectronics stn1hnk60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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HT7550-1 (SOT-23-3)
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HT7550-1 (SOT-23-3)
Hersteller: MSKSEMI
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-23-3
Uin, V: 30 V
Uout,V: 5 V
Iout,A: 0,1 A
Bemerkung: Фіксований
Temperaturbereich: -40…85°C
auf Bestellung 1029 St.:
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442 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-442K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
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442 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-442K-Hitano) (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 442 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
verfügbar: 16200 St.
1200 St. - stock Köln
15000 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.005 EUR
100+0.0045 EUR
1000+0.0039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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Колпачек на кнопку, D=12 (внутр. d=4,9мм), черный
Produktcode: 110717
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kls-tsc12-datasheet.pdf
Колпачек на кнопку, D=12 (внутр. d=4,9мм), черный
Hersteller: KLS
Tasten/Knöpfe und Tastatur > Kappen für Knöpfe
Опис: Ковпачок D = 12, колір: чорний
Габарити: D=12
verfügbar: 3182 St.
200 St. - stock Köln
2982 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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2,2uF 200V ECR 6,3x11mm (ECR2R2M2DB-Hitano)
Produktcode: 3115
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ECR_081225.pdf
2,2uF 200V ECR 6,3x11mm (ECR2R2M2DB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2,2uF
Nennspannung: 200V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 6x11mm
Lebensdauer: 6х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 10344 St.
200 St. - stock Köln
10144 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.044 EUR
100+0.022 EUR
1000+0.02 EUR
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