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STN1NK60Z

STN1NK60Z STMicroelectronics

704214581529243cd00003347.pdf Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details STN1NK60Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA395BF886A0469&compId=STN1NK60Z.pdf?ci_sign=a7349b2f902fc04b2c746cbc30dd32cc1562f57a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
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179+0.4 EUR
192+0.37 EUR
213+0.34 EUR
363+0.2 EUR
382+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 179
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DA395BF886A0469&compId=STN1NK60Z.pdf?ci_sign=a7349b2f902fc04b2c746cbc30dd32cc1562f57a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003347.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
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STN1NK60Z STN1NK60Z
Produktcode: 25979
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Hersteller : ST STN1NK60Z.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 600
Idd,A: 0.25
Rds(on), Ohm: 15
Ciss, pF/Qg, nC: 09.04.1994
JHGF: SMD
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
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23+0.78 EUR
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2000+0.48 EUR
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4083 Stücke:
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMICROELECTRONICS SGST-S-A0000145277-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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STN1NK60Z Hersteller : ST en.CD00003347.pdf 600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics NV en.CD00003347.pdf MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics 704214581529243cd00003347.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN1NK60Z STN1NK60Z Hersteller : STMicroelectronics en.CD00003347.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
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Supplier Device Package: SOT-223
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
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