STN1NK60Z
Hersteller: ST
600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 50+ | 0.65 EUR |
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Technische Details STN1NK60Z ST
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 2W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm.
Weitere Produktangebote STN1NK60Z nach Preis ab 0.32 EUR bis 2.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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STN1NK60Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60Z | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Version: ESD Technology: SuperMesh™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V |
auf Bestellung 3946 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60Z | STM |
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори |
auf Bestellung 2243 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60Z | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
auf Bestellung 10126 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60Z | STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH |
auf Bestellung 8804 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V Verlustleistung: 2W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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STN1NK60Z | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 41 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 41 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STN1NK60Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.46 EUR |
| 8000+ | 0.43 EUR |
| STN1NK60Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
auf Bestellung 3946 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 107+ | 0.67 EUR |
| 139+ | 0.52 EUR |
| 154+ | 0.47 EUR |
| 182+ | 0.39 EUR |
| 189+ | 0.38 EUR |
| 250+ | 0.36 EUR |
| 500+ | 0.35 EUR |
| 1000+ | 0.33 EUR |
| 2000+ | 0.32 EUR |
| STN1NK60Z |
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Hersteller: STM
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
auf Bestellung 2243 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 7+ | 0.83 EUR |
| STN1NK60Z |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 10126 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.88 EUR |
| 15+ | 1.18 EUR |
| 100+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.6 EUR |
| 1000+ | 0.55 EUR |
| 2000+ | 0.5 EUR |
| STN1NK60Z |
|
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
MOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
auf Bestellung 8804 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.25 EUR |
| 10+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.92 EUR |
| 500+ | 0.72 EUR |
| 1000+ | 0.62 EUR |
| 2000+ | 0.56 EUR |
| 4000+ | 0.5 EUR |
| STN1NK60Z |
|
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STN1NK60Z |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 41 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)