
STN1NK60Z STMicroelectronics
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Technische Details STN1NK60Z STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 300mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STN1NK60Z nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.88 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 189mA Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Technology: SuperMesh™ Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2955 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN1NK60Z Produktcode: 25979
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Hersteller : ST |
![]() Gehäuse: SOT-223 Uds,V: 600 Idd,A: 0.25 Rds(on), Ohm: 15 Ciss, pF/Qg, nC: 09.04.1994 JHGF: SMD |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4083 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60Z | Hersteller : ST |
![]() Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 1585 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics NV |
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auf Bestellung 2503 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
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STN1NK60Z | Hersteller : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
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