STN1NK60ZL STMicroelectronics
| Anzahl | Preis |
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| 4000+ | 0.27 EUR |
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Technische Details STN1NK60ZL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STN1NK60ZL nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.48 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
auf Bestellung 16000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET |
auf Bestellung 8698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
auf Bestellung 19868 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.3A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 On-state resistance: 10.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: 30V |
auf Bestellung 4299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| STN1NK60ZL | Hersteller : STM |
MOSFET PTD HIGH VOLTAGE Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STN1NK60ZL | Hersteller : STMicroelectronics |
N-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6,9, Rds = 150 Ом, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |