STN1NK60ZL STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.43 EUR |
| 12000+ | 0.38 EUR |
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Technische Details STN1NK60ZL STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 440mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 3.3W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: SuperMESH Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm.
Weitere Produktangebote STN1NK60ZL nach Preis ab 0.38 EUR bis 2.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STN1NK60ZL | STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET |
auf Bestellung 9780 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V |
auf Bestellung 51904 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 440mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V Verlustleistung: 3.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: SuperMESH Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN1NK60ZL | STMicroelectronics |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 600V Drain current: 0.3A Power dissipation: 3.3W Case: SOT223 On-state resistance: 10.4Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: 30V |
auf Bestellung 4299 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STN1NK60ZL |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
MOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
auf Bestellung 9780 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 1.78 EUR |
| 10+ | 0.82 EUR |
| 100+ | 0.73 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 2000+ | 0.54 EUR |
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 8000+ | 0.38 EUR |
| STN1NK60ZL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
auf Bestellung 51904 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 12+ | 1.84 EUR |
| 19+ | 1.14 EUR |
| 50+ | 0.84 EUR |
| 100+ | 0.75 EUR |
| 500+ | 0.57 EUR |
| STN1NK60ZL |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 2.28 EUR |
| 240+ | 0.98 EUR |
| 271+ | 0.8 EUR |
| STN1NK60ZL |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
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Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 3.3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
auf Bestellung 865 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 110+ | 2.28 EUR |
| 240+ | 0.98 EUR |
| 271+ | 0.8 EUR |
| STN1NK60ZL |
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 10.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 30V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 10.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 30V
auf Bestellung 4299 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)