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STN1NK80Z

STN1NK80Z STMicroelectronics

stn1nk80z.pdf
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
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Technische Details STN1NK80Z STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 250mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 30V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
STN1NK80Z STN1NK80Z STMicroelectronics stn1nk80z.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z STN1NK80Z STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.9 EUR
8000+0.84 EUR
12000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z STN1NK80Z STMicroelectronics STN1NK80Z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2317 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
59+1.46 EUR
66+1.3 EUR
90+0.95 EUR
100+0.86 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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STN1NK80Z STN1NK80Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
auf Bestellung 60553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+3.22 EUR
113+2.06 EUR
250+1.25 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z STN1NK80Z STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
auf Bestellung 60553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.22 EUR
113+2.06 EUR
250+1.25 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z STN1NK80Z STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z STN1NK80Z STMicroelectronics stq1nk80zr-ap.pdf MOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
auf Bestellung 16520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.02 EUR
10+2.53 EUR
100+1.73 EUR
500+1.39 EUR
1000+1.25 EUR
2000+1.17 EUR
4000+1.11 EUR
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STN1NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
8000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN1NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.9 EUR
8000+0.84 EUR
12000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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STN1NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2317 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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59+1.46 EUR
66+1.3 EUR
90+0.95 EUR
100+0.86 EUR
250+0.76 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.67 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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STN1NK80Z SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
auf Bestellung 60553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+3.22 EUR
113+2.06 EUR
250+1.25 EUR
1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN1NK80Z SGST-S-A0002807946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN1NK80Z
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
auf Bestellung 60553 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.22 EUR
113+2.06 EUR
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1000+0.9 EUR
2000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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STN1NK80Z
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
auf Bestellung 17293 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.44 EUR
10+2.18 EUR
100+1.46 EUR
500+1.15 EUR
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MOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
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500+1.39 EUR
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