Technische Details STN3P6F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
Weitere Produktangebote STN3P6F6 nach Preis ab 0.48 EUR bis 2.98 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 80000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 3338 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI |
auf Bestellung 36298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
auf Bestellung 4590 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 3657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
auf Bestellung 3657 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 18 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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STN3P6F6 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
auf Bestellung 3980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3980 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| STN3P6F6 | STMicroelectronics |
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 4 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.58 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.63 EUR |
| 8000+ | 0.58 EUR |
| 12000+ | 0.55 EUR |
| 20000+ | 0.5 EUR |
| 28000+ | 0.48 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.63 EUR |
| 8000+ | 0.6 EUR |
| 12000+ | 0.57 EUR |
| 20000+ | 0.52 EUR |
| 28000+ | 0.51 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4000+ | 0.77 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 83+ | 2.12 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
auf Bestellung 36298 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.28 EUR |
| 10+ | 1.45 EUR |
| 100+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.82 EUR |
| 1000+ | 0.75 EUR |
| 2000+ | 0.7 EUR |
| 4000+ | 0.65 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 4590 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 8+ | 2.62 EUR |
| 13+ | 1.64 EUR |
| 100+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2000+ | 0.71 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 85+ | 2.98 EUR |
| 133+ | 1.75 EUR |
| 200+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
auf Bestellung 3657 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.98 EUR |
| 133+ | 1.75 EUR |
| 200+ | 1.07 EUR |
| 500+ | 0.84 EUR |
| 1000+ | 0.76 EUR |
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| STN3P6F6 |
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Hersteller: STMicroelectronics
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:





