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STN3P6F6

STN3P6F6 STMicroelectronics

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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details STN3P6F6 STMicroelectronics

Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
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113+0.63 EUR
122+0.59 EUR
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3338 Stücke:
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83+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
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2+1.78 EUR
10+1.15 EUR
100+0.78 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 4590 Stücke:
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8+2.2 EUR
13+1.38 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics 121952109166488dm0006.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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STN3P6F6 STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 3980 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3980 Stücke
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STN3P6F6 STMicroelectronics STN3P6F6.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.48 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
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AnzahlPreis
4000+0.52 EUR
8000+0.48 EUR
12000+0.45 EUR
20000+0.41 EUR
28000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 80000 Stücke:
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AnzahlPreis
4000+0.52 EUR
8000+0.49 EUR
12000+0.46 EUR
20000+0.43 EUR
28000+0.42 EUR
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Hersteller: STMicroelectronics
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Power dissipation: 2.6W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
auf Bestellung 2537 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
51+1.42 EUR
113+0.63 EUR
122+0.59 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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STN3P6F6
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 3338 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
83+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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STN3P6F6
Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI
auf Bestellung 36790 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.78 EUR
10+1.15 EUR
100+0.78 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
4000+0.54 EUR
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STN3P6F6
Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
auf Bestellung 4590 Stücke:
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8+2.2 EUR
13+1.38 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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STN3P6F6 SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN3P6F6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
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STN3P6F6
Hersteller: STMicroelectronics
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 142 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
STN3P6F6 SGST-S-A0002807080-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STN3P6F6
Hersteller: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 4615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V
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Mindestbestellmenge: 3980 Stücke
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P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48, Qg, нКл = 6,4 @ 10 В, Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,6, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 4 Stücke:
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