STN3P6F6 STMicroelectronics
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Technische Details STN3P6F6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pins, Produktpalette: DeepGATE STripFET VI, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm.
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 2.6W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Technology: SuperMesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2A Power dissipation: 2.6W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET P-Ch 60 V, 0.13 Ohm 3 A STripFET VI |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STN3P6F6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pins Produktpalette: DeepGATE STripFET VI productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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| STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
P-канальний ПТ; Udss, В = 60; Ciss, пФ @ Uds, В = 340 @ 48; Qg, нКл = 6,4 @ 10 В; Rds = 160 мОм @ 1,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 2,6; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; SOT-223 |
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| STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
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STN3P6F6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET P-CH 60V SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 48 V |
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