STO65N60DM6 STMicroelectronics
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Technische Details STO65N60DM6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STO65N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 320W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 320W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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STO65N60DM6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
 Description: STMICROELECTRONICS - STO65N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-LL, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 320W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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STO65N60DM6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO65N60DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 46 A, 0.067 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 320W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.067ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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| STO65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STO65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 600 V, 67 MOHM TYP., 4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 320W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 100 V |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| STO65N60DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 46A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
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