STO67N60M6 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 34A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL (HV)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V
auf Bestellung 1566 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 12.69 EUR |
| 10+ | 8.64 EUR |
| 100+ | 6.71 EUR |
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Technische Details STO67N60M6 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 150W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-LL HV, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh M6, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote STO67N60M6
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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STO67N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-LL HV Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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STO67N60M6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO67N60M6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.048 ohm, TO-LL HV, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-LL HV Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh M6 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1700 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STO67N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 9-Pin(8+Tab) TO-LL HV T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| STO67N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 9-Pin(8+Tab) TO-LL HV T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STO67N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TOLL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STO67N60M6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 600 V, 48 mOhm typ., 34 A MDmesh M6 Power MOSFET |
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