STO68N65DM6 STMICROELECTRONICS
Hersteller: STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STO68N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.053 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 55A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: MDmesh DM6
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
auf Bestellung 104 Stücke:
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Technische Details STO68N65DM6 STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STO68N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.053 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 240W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-LL, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: MDmesh DM6, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
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STO68N65DM6 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STO68N65DM6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 55 A, 0.053 ohm, TO-LL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 240W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 240W Bauform - Transistor: TO-LL Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: MDmesh DM6 productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.053ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.053ohm SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 104 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STO68N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 650V 55A 9-Pin(8+Tab) TO-LL |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STO68N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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STO68N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
Description: N-CHANNEL 650 V, 53 MOHM TYP., 5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 27.5A, 10V Power Dissipation (Max): 240W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL (HV) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3528 pF @ 100 V |
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STO68N65DM6 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFETs N-channel 650 V, 53 mOhm typ., 55 A MDmesh DM6 Power MOSFET |
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