STP100N10F7 STMicroelectronics
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Technische Details STP100N10F7 STMicroelectronics
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: DeepGATE STripFET VII, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm.
Weitere Produktangebote STP100N10F7 nach Preis ab 2.37 EUR bis 6.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
 Description: MOSFET N CH 100V 80A TO-220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4369 pF @ 50 V |
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STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
MOSFET N-Ch 100V 0.0068mOhm 80A STripFETVII 150 |
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STP100N10F7 | Hersteller : STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP100N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0068 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: DeepGATE STripFET VII productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0068ohm |
auf Bestellung 663 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 70A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ F7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 70A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8mΩ Mounting: THT Gate charge: 61nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| STP100N10F7 | Hersteller : ST |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube STP100N10F7 STMicroelectronics TSTP100N10F7 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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| STP100N10F7 | Hersteller : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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